这项研究计划将有助於快速製作出奈米元件的原型并量测其特性，就10nm以下的精细度而言是一大突破，可进行广泛的应用。其重点在於整合ALD(可达到厚度為次奈米精确度的一种薄膜技术)与具有奈米级剖面解析度(lateral resolution)的SPM，以便将扫描式探针技术延伸应用在原型製作和元件製作上。
史丹佛大学机械工程系教授兼系主任Fritz Prinz表示：「新颖的奈米结构将可直接在这个独特的SPM-ALD工具中製作出来并量测其特性，以快速做出各种新一代元件的原型。SPM-ALD工具可让我们运用存在小尺寸中的量子侷限效应(quantum confinement effect)来建构元件，这样的尺寸大小无法使用传统的微影(lithography)技术来探量，这些元件只能使用具有超高空间解析度的製程工具来建构。」
过去，电子元件的效能一直受到传统製程方法(如光学和电子束微影技术)的限制，无法提供比20nm小很多的特徵解析度(feature resolution)。然而，在10nm或更小尺寸的元件中，因电子侷限產生的量子机械效应所导致的现象从品质上来讲，与较大元件中所看到的极為不同。量子侷限效应的运用预计将成為电子元件新的设计典范。