根据双方的协议，海力士同意使用由惠普科学家研制的技术来打造这种新型元件忆阻器（memristor，即“内存电阻器”简称）。双方的这一合作也表明，未来几年内将会有越来越多的计算机内存芯片安装在体型更小的设备之中。惠普与海力士公司共同宣称，这种新型内存芯片将在三年左右的时间之后投入到市场。
从目前情况来看，这种“忆阻器（memristor）”最有可能用于密集型非易失性半导体存储芯片方面，这种非易失性半导体存储芯片也就是那些可以应用在照相机和个人电脑等产品闪存卡之中的芯片。
惠普与海力士之间拟共同打造内存芯片的合作协议也是对列昂·奥·楚阿（LeonO.Chua）工作的肯定。列昂是加州大学伯克利分校电子工程系教授。早在1971年，其就提议研制第四代基本电路元件（前三代分别是电阻器、电容器和感应器），并命其名为“忆阻器”或“内存忆阻器”，并提议将用作晶体管的更简易替代品，但后来，这种观点就日渐被冷落下来，一直至2006年，惠普研究团队才开始发现并加以利用。从此之后，忆阻器已经得到了工业、研究院、甚至是军方的兴趣。
内存芯片业务的竞争一直都很激烈，在这种形势下，忆阻器也一直被大多数全球领先的半导体公司视为实验室和学院试验型产品。但是，惠普研究人员表示，该公司在决定与海力士签署上述商业化协议之前，就已经与全球诸多领先的芯片制造商进行了谈判。
惠普公司负责开发忆阻器芯片研究项目的科学家斯坦利·威廉（StanleyWilliams）表示：“目前为止，忆阻器芯片要好于闪存芯片。”斯坦利还称，忆阻器运转速度也大大快于闪存芯片，而且能耗也极低，其耗能只有闪存芯片的十分之一左右，这也有助于延长电池待机时间。
惠普研究人员已经制定了一些方案，计划设计出基于“忆阻器”的1000层芯片，尽管惠普承认，从目前的制造技术来看，这种1000层的芯片设备仍可能无法发挥巨大的实用价值。
